9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTP125N65S3H，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTP125N65S3H参考价格为4.36000美元。onsemi NTP125N65S3H封装/规格：功率MOSFET，N沟道，SUPERFE。您可以下载NTP125N65S3H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NTP125N65S3H价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NTNUS3171PZT5G是MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123，包括NTNUS3171 PZ系列，它们设计为使用卷筒封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-1123-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供125 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为-150 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为3.4欧姆，晶体管极性为P沟道，正向跨导Min为0.26s。
带有用户指南的NTNS3A67PZT5G，包括第4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了NTNS3A67 PZ等系列功能，Qg栅极电荷设计为在120 nC下工作，以及卷轴封装，该器件还可以用作1信道数的信道，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，设备具有1 N信道配置，信道模式为增强。
带有电路图的NTNS3A91PZT5G，包括-223mA Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于XLLGA-3的封装盒，该XLLGA-3提供卷轴、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作电阻为1.6欧姆，以及NTNS3A91-PZ系列，该器件也可以用作硅技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件提供-20 V Vds漏极-源极击穿电压。
