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DMN6070SFCL-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: X1-DFN1616-6 (Type E) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.54902 3.54902
10+ 3.02028 30.20289
100+ 2.25761 225.76120
500+ 1.77378 886.89300
1000+ 1.37064 1370.64600
3000+ 1.24976 3749.28600
6000+ 1.16907 7014.45600
  • 库存: 1521
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.55
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 最大功耗 600mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 包装/外壳 6-PowerUFDFN
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.3 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 606 pF @ 20 V
  • 供应商设备包装 X1-DFN1616-6 (Type E)
  • 色彩/颜色 -

DMN6070SFCL-7 产品详情

Diodes公司扩展了60V MOSFET系列,推出了一系列低RDS(ON)N和P沟道。新一代MOSFET的设计旨在最大限度地降低稳态电阻RDS(ON),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。尺寸与SOT-563相同,60V N沟道DMN6070SFCL是负载开关和DC-DC转换应用的理想选择,适用于尺寸关键应用。只有1.6mm x 1.6mm,并且能够工作>2A,因此这是世界上最小的60V功率MOSFET;使得设计者能够实现更高的功率密度。TO-252 N和P沟道MOSFET DMN6040SK3和DMP6185SK3适用于工业和供暖、通风和空调(HVAC)控制应用。
DMN6070SFCL-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN6070SFCL-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN6070SFCL-7价格参考¥3.549021,你可以下载 DMN6070SFCL-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN6070SFCL-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

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Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...

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