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SIHA100N60E-GE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 38.17008 38.17008
10+ 34.30237 343.02374
100+ 28.10462 2810.46250
500+ 23.92503 11962.51850
1000+ 21.61897 21618.97000
  • 库存: 1026
  • 单价: ¥38.17008
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥38.17
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
  • 最大功耗 35W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220 Full Pack
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@13A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1851 pF@100 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

SIHA100N60E-GE3 产品详情

SIHA100N60E-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIHA100N60E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIHA100N60E-GE3价格参考¥38.170083,你可以下载 SIHA100N60E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIHA100N60E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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