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STD5NM60-1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.93198 20.93198
10+ 18.78084 187.80840
100+ 15.09347 1509.34790
500+ 12.40056 6200.28450
1000+ 11.27321 11273.21200
  • 库存: 2712
  • 单价: ¥18.97640
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.93
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • 最大功耗 96W(Tc)
  • 供应商设备包装 I-PAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@2.5A,10V
  • 色彩/颜色 -

STD5NM60-1 产品详情

MDmesh是一种新的革命性功率MOSFET技术,它将多漏工艺与公司的PowerMESH水平布局相关联。所得产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和优异的雪崩特性。采用该公司专有的剥离技术,整体动态性能明显优于同类竞争产品。

特色

  • 100%雪崩测试
  • 低输入电容和栅极电荷
  • HIghdv/dtandavalanche能力
  • 低栅极输入电阻
STD5NM60-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD5NM60-1 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD5NM60-1价格参考¥18.976398,你可以下载 STD5NM60-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD5NM60-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...

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