MDmesh是一种新的革命性功率MOSFET技术,它将多漏工艺与公司的PowerMESH水平布局相关联。所得产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和优异的雪崩特性。采用该公司专有的剥离技术,整体动态性能明显优于同类竞争产品。
特色
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- HIghdv/dtandavalanche能力
- 低栅极输入电阻
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 20.93198 | 20.93198 |
10+ | 18.78084 | 187.80840 |
100+ | 15.09347 | 1509.34790 |
500+ | 12.40056 | 6200.28450 |
1000+ | 11.27321 | 11273.21200 |
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MDmesh是一种新的革命性功率MOSFET技术,它将多漏工艺与公司的PowerMESH水平布局相关联。所得产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高dv/dt和优异的雪崩特性。采用该公司专有的剥离技术,整体动态性能明显优于同类竞争产品。
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