9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD35NF3LLT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD35NF3LLT4参考价格为0.87000美元。STMicroelectronics STD35NF3LLT4封装/规格：MOSFET N-CH 30V 35A DPAK。您可以下载STD35NF3LLT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD35NF06LT4是MOSFET N-CH 60V 35A DPAK，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为80W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1700pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为17mOhm@17.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为33nC@4.5V，Pd功耗为80W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为100ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为28S，信道模式是增强。
STD35NF06T4是MOSFET N-CH 60V 35A DPAK，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，以及36 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有D-Pak供应商器件包，系列为STripFET？二、 上升时间为8 ns，Rds On Max Id Vgs为20 mOhm@17.5A，10V，Rds On Drain Source Resistance为18 mOhm，Power Max为80W，Pd功耗为55W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Cis-Vds为1300pF@25V，Id连续漏极电流为35 A，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@10V，正向跨导最小值为13S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为15ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），配置为单一，沟道模式为增强型。
STD35NF3LL，带有ST制造的电路图。STD35NF-3LL以TO-252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
