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FDZ375P
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FDZ375P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 4-WLCSP (1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.14926 21.14926
10+ 18.96191 189.61912
100+ 15.53602 1553.60210
500+ 13.22553 6612.76750
  • 库存: 685
  • 单价: ¥21.14927
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.15
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规格参数

  • 高度（英寸） -
  • 长（英寸） -
  • 宽（英寸） -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 最大功耗 1.7W（Ta）
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 865 pF @ 10 V
  • 包装/外壳 4-XFBGA，WLCSP
  • 供应商设备包装 4-WLCSP (1x1)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 78毫欧姆 @ 2A, 4.5V
  • 色彩/颜色 -

FDZ375P 产品详情

FDZ375P采用先进的1.5 V PowerTrench®工艺，采用最先进的“精细间距”薄WLCSP封装工艺，最大限度地减少了PCB空间和rDS（打开）。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形封装、低栅极电荷和低rDS（on）。

特色

  • VGS=-4.5 V，ID=-2.0 A时，最大rDS（开）=78 mΩ
  • VGS=-2.5 V，ID=-1.5 A时，最大rDS（开）=92 mΩ
  • VGS=-1.8 V，ID=-1.0 A时，最大rDS（开）=112 mΩ
  • VGS=-1.5 V，ID=-1.0 A时，最大rDS（开）=150 mΩ
  • 仅占用1.0 mm2的PCB面积。小于2 x 2 BGA面积的30%
  • 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.4 mm
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用，适用于许多不同的应用。
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护

FDZ375P 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
FDZT40RB5.1FDZT40RB5.1罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB7.5FDZT40RB7.5罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB5.6FDZT40RB5.6罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.42733
FDZT40RB6.2FDZT40RB6.2罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.47755
FDZT40RB6.8FDZT40RB6.8罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.85418
FDZT40RB8.2FDZT40RB8.2罗姆 (Rohm)DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402¥2.46259
FDZ1323NZFDZ1323NZ安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥7.89476
FDZ2554PZFDZ2554PZ场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.27331
FDZ4002LFDZ4002L安盛美 (onsemi)IC POWER MANAGEMENT¥45.72731
FDZ5013C-1FDZ5013C-1DOUBLER,FREQUENCY¥0.00
FDZ375P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDZ375P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDZ375P价格参考￥21.149268，你可以下载 FDZ375P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDZ375P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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