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BS170

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 供应商设备包装: TO-92
  • 品牌: NTE电子 (NTE)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 5

  • 库存: 475
  • 单价: ¥0.73153
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.66
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 供应商设备包装 TO-92
  • 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成型引线
  • 制造厂商 NTE电子 (NTE)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 200毫安, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

BS170 产品详情

包装:TO-92(TO-226AA)型

最大额定值
1.漏极-源极电压:VDS=60 Vdc

2.栅极-源极电压
-连续:VGS=±20 Vdc
-非重复(tp 3 50 ms):VGSM=±40 Vpk

3.漏电流(1)ID 0.5 Adc

4.TA=25°C时的总装置损耗:PD=350 mW

5.操作和储存结温度范围:TJ,Tstg=–55至+150°C

特色

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用


(图片:引出线)

BS170所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BS170 由 NTE电子 (NTE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS170价格参考¥0.731533,你可以下载 BS170中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS170规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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40多年来,NTE Electronics,Inc.一直是高品质NTE和ECG品牌电气和电子元件的领先供应商。产品线包括半导体、继电器、电阻器、电容器、电缆扎带和线束管理产品、LED照明、光电子、电位器...

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