SIHA17N80AE-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.07683 | 21.07683 |
| 10+ | 18.91121 | 189.11212 |
| 100+ | 15.20212 | 1520.21230 |
| 500+ | 12.48980 | 6244.90100 |
| 1000+ | 10.70551 | 10705.51300 |
- 库存: 37
- 单价: ¥21.07684
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.08
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 最大功耗 34W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-220 Full Pack
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 290毫欧姆@8.5A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1260 pF@100 V
- 色彩/颜色 -
SIHA17N80AE-GE3 产品详情
Vishay Siliconix®在其标准to xxx系列中添加了一个新的封装，即Thin Lead to-220 FULLPAK。该封装将使用我们最新的E系列超结MOSFET产品系列。标准TO-220 FULLPAK和薄导线TO-220 FULLPAK之间的区别在于导线的宽度和厚度。Thin Lead TO-220 FULLPAK引线已缩小。由于引线的尺寸减小，它们可以完全插入到焊接孔中，然后封装的主体接触PCB，从而将组装的PCB板高度减小约2.4mm。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIHD6N80E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.15167 |
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 | SIHB33N60EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.32415 |
 | SIHP100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.80794 |
 | SIHB100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
 | SIHF065N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.93159 |
 | SIHB21N65EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.53223 |
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SIHA17N80AE-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIHA17N80AE-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIHA17N80AE-GE3价格参考￥21.076839，你可以下载 SIHA17N80AE-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIHA17N80AE-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
