9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG15N80AE-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG15N80AE-GE3参考价格为3.11000美元。Vishay Siliconix SIHG15N80AE-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC。您可以下载SIHG15N80AE-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIHG15N80AE-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIHG16N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31 ns，上升时间为156 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 a，且Vds漏极-源极击穿电压为500V，且Vgs栅极-源极阈值电压为5V，且Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，且晶体管极性为N沟道，且典型关断延迟时间为29nS，且典型接通延迟时间为27nS，Qg栅极电荷为68nC，且正向跨导Min为3S。
SIHFU120TL-E3和用户指南SIHFU120 TL-E3以TO252D-PAK封装形式提供，是IC芯片的一部分。
SIHFU1N60A-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIHFU1N60A-E3采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
SIHFU220-E3与EDA/CAD模型SIHFU220-2E3以TO-251封装形式提供，是IC芯片的一部分。
