9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG25N40D-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG25N40D-GE3参考价格$3.88000。Vishay Siliconix SIHG25N40D-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC。您可以下载SIHG25N40D-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHG22N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于E系列，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为227 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为54 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为86nC，正向跨导最小值为6.4S。
SIHG22N60S-E3是MOSFET N-CH 600V 22A TO247，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为68 ns，漏极-源极电阻Rds为160 mOhms，Qg栅极电荷为75 nC，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为22A，并且正向跨导Min为9.4S，并且下降时间为59ns。
SIHG22N60EL-GE3，带有电路图，包括Si技术。
SIHG22N60E，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIHG22N60E提供TO-247封装，是FET的一部分-单个。
