9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD12N65M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD12N65M2参考价格1.74000美元。STMicroelectronics STD12N65M2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 8A DPAK。您可以下载STD12N65M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD12N50M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供85 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为34.5 ns，上升时间为10.5 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds漏极-源极电阻为325mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为13.5ns，Qg栅极电荷为15nC，沟道模式为增强。
STD12N65M2带有用户指南，包括0.13932盎司单位重量，它们设计为使用Si技术操作，系列如数据表注释所示，用于MDmesh M2，提供卷轴等包装功能，包装盒设计为适用于to-252-3，以及SMD/SMT安装样式。
STD12N60，带有ST制造的电路图。STD12N40可在TO-252封装中获得，是FET的一部分-单个。
STD12N60M2，带有ST制造的EDA/CAD型号。STD12N6M2采用TO-252封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N沟道600 V、N沟道600V 9A（Tc）85W（Tc）表面安装DPAK、Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3引脚（2+Tab）DPAK T/R、MOSFET N信道600 V、典型0.395欧姆、DPAK封装中的9 A MDmesh M2功率MOSFET”。
