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FQP6N60C

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.18207 13.18207
10+ 11.84214 118.42142
100+ 9.51861 951.86190
500+ 7.82044 3910.22450
  • 库存: 3902
  • 单价: ¥13.18208
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.18
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大功耗 125W(Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 部件状态 上次购买
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.75A、10V时为2欧姆
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 810 pF @ 25 V

FQP6N60C 产品详情

一般说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchildís专有的平面条纹DMOS技术生产。

这种先进的技术已经特别定制,以最小化导通电阻,提供优异的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。

一般说明
这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchildís专有的平面条纹DMOS技术生产。

这种先进的技术已经特别定制,以最小化导通电阻,提供优异的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关模式电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。

FQP6N60C所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQP6N60C 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQP6N60C价格参考¥13.182078,你可以下载 FQP6N60C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQP6N60C规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

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