- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•低导通状态电阻：RDS（导通）1=48 mMAX。（VGS=–10 V，ID=–10 A）RDS（开启）2=75 mMAX。（VGS=–4.0 V，ID=–10 A）•低输入电容：Cis=1900 pF TYP。（VDS=–10 V，VGS=0 V）•内置栅极保护二极管
2SJ649-AZ
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 Isolated Tab 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.18207 | 13.18207 |
| 10+ | 11.84214 | 118.42142 |
| 100+ | 9.52006 | 952.00680 |
| 500+ | 7.82175 | 3910.87650 |
- 库存: 850
- 单价: ¥13.18208
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.18
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管类型 P-通道
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Tc）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 部件状态 上次购买
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- 包装/外壳 TO-220-3隔离接线片
- 最大功耗 2W（Ta），25W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 48毫欧姆 @ 10A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-220 Isolated Tab
- 色彩/颜色 银
2SJ649-AZ 产品详情
2SJ649-AZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SJ598-ZK-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 1W（Ta），23W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 (MP-3ZK) 工作温度: 150摄氏度 | ¥7.17047 |
| 2SJ358C-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE | ¥5.60811 |
| 2SJ358-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET | ¥5.60811 |
| 2SJ529L06-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ529L06 - P-CHANNEL POWER MOSF | ¥6.8147 |
| 2SJ635-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SJ635 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥2.63642 |
| 2SJ607-ZJ-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ607-ZJ-AZ - SWITCHING P-CHANN | ¥31.41108 |
| 2SJ604-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-Z-AZ - SWITCHING P-CHANNE | ¥13.10661 |
| 2SJ604-ZJ-E1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH | ¥15.66777 |
 | 2SJ681(Q) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 20W（Ta） 供应商设备包装: PW-MOLD2 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥11.8349 |
| 2SJ532-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SJ532 - P-CHANNEL POWER MOSFET, | ¥14.38744 |
2SJ649-AZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SJ649-AZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SJ649-AZ价格参考￥13.182078，你可以下载 2SJ649-AZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SJ649-AZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
