9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQPF10N60C,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FQPF10N60C参考价格为2.65000美元。onsemi FQPF10N60C封装/规格:MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F。您可以下载FQPF10N60C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如FQPF10N60C价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的,你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息,例如FQPF10N60C库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信,所以请随时与我们联系。
FQPF10N50CF是MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F,包括管封装,它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供48 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为80 ns,上升时间为80纳秒,Vgs栅源电压为30 V,Id连续漏电流为10 A,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Rds漏极漏极-漏极电阻为610mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为141ns,典型接通延迟时间为29ns,正向跨导最小值为15S,沟道模式为增强。
FQPF10N60,带有FSC制造的用户指南。FQPF10N60在TO-220封装中提供,是FET的一部分-单个。
FQPF10N60 H10N65F,带有HI制造的电路图。FQPF10N60 H10N65F采用TO-220F封装,是IC芯片的一部分。