9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN6013LFGQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6013LFGQ-7参考价格为0.97000美元。Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333。您可以下载DMN6013LFGQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN5L06WK-7是MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3，包括DMN5L06系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@50mA，5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为300mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN5L06WKQ-7带用户指南，包括Si技术，设计用于DMN5L06系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
DMN5L06VKQ-7带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
DMN600V-7，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN600V-7采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
