9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN601WK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN601WK-7参考价格为0.39000美元。Diodes Incorporated DMN601WK-7封装/规格：MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323。您可以下载DMN601WK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN601WK-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN601VK-7是MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563，包括DMN60系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为305mA，最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN601VKQ-7带有用户指南，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作，数据表说明中显示了SOT-563中使用的供应商设备包，该产品提供DMN601、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在2 Ohm@500mA、10V以及250mW最大功率下工作，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），装置具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为50pF@25V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id为25°C，为305mA。
DMN601VK-7-F是由DIODES制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563。DMN601VK-7-F在SOT-563、SOT-666封装中提供，是FET阵列的一部分，并支持MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563。
