MDmesh M5功率MOSFET针对高功率PFC和PWM拓扑进行了优化。主要特征包括每个硅区域的低导通状态损耗和低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑和可靠的硬开关应用，如太阳能转换器、消费品电源和电子照明控制。
特色
- 极低RDS（打开）
- 低栅电荷和输入电容
- 卓越的切换性能
- 100%雪崩测试
STD15N60M2-EP
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.41337 | 14.41337 |
| 10+ | 12.94306 | 129.43062 |
| 100+ | 10.40297 | 1040.29770 |
| 500+ | 8.54676 | 4273.38350 |
| 1000+ | 7.76982 | 7769.82100 |
| 2500+ | 7.02452 | 17561.31750 |
- 库存: 59
- 单价: ¥14.41337
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.41
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- 最大功耗 110W（Tc）
- 供应商设备包装 DPAK
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 100 V
- 导通电阻 Rds(ON) 378毫欧姆 @ 5.5A, 10V
STD15N60M2-EP 产品详情
N通道MDmesh™ M5系列，STMicroelectronics
STD15N60M2-EP 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STD 900 | 博普拉 (Bopla) | 附件种类: 使站立 包装: 散装 系列: Databoss | ¥261.10655 |
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 | STD-CIX-1-40M | 电波工业株式会社 (NDK) | 种类: MHz晶体 频率: 40兆赫 负载电容值: 8皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.90877 |
 | STD24N06LT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥78.46958 |
| STD3055L104T4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥169.87498 |
 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
STD15N60M2-EP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD15N60M2-EP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD15N60M2-EP价格参考￥14.413371，你可以下载 STD15N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD15N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
