9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD100NH02LT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD100NH02LT4参考价格为2.23000美元。STMicroelectronics STD100NH02LT4封装/规格：MOSFET N-CH 24V 60A DPAK。您可以下载STD100NH02LT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STD100N3LF3是MOSFET N-CH 30V 80A DPAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有110 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为205 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为5.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强型。
STD100N10F7是MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120W，包括100V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的8 mOhms Rds。此外，Qg栅极电荷为56 nC，该器件提供120 W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为80 a。
STD100NH02带有ST制造的电路图。STD100NH02采用TO-252封装，是FET的一部分-单体。
