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IPN70R1K4P7SATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Tc) 供应商设备包装: PG-SOT223 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.48890 3.48890
  • 库存: 30
  • 单价: ¥3.48891
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.49
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 700 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 PG-SOT223
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@40A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@700毫安,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 158 pF@400 V
  • 最大功耗 6.2W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

IPN70R1K4P7SATMA1 产品详情

正向电阻™ P7超结(SJ)MOSFET设计用于解决低功率SMPS市场中的典型挑战,提供优异的性能和易用性,从而提高形状因数和价格竞争力。SOT-223封装是DPAK的一对一替代方案,具有成本效益,在某些设计中也能减少占地面积。它可以放置在典型的DPAK封装上,并显示出相当的热性能。这种组合使CoolMOS™ SOT-223中的P7非常适合其目标应用。

700V和800V CoolMOS™ P7针对回扫拓扑进行了优化。600V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET适用于硬开关拓扑(Flyback、PFC和LLC)。

特色

  • 实现更低的MOSFET芯片温度
  • 与以前的技术相比,提高了效率
  • 允许改进外形尺寸和修身设计

应用

  • 充电器
  • 适配器
  • 电视电源
  • 照明
IPN70R1K4P7SATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPN70R1K4P7SATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPN70R1K4P7SATMA1价格参考¥3.488905,你可以下载 IPN70R1K4P7SATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPN70R1K4P7SATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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