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SQ3427AEEV-T1_GE3

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.83197 2.83197
100+ 2.57630 257.63000
1000+ 2.44592 2445.92700
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥2.83197
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.83
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.3A (Tc)
  • 最大功耗 5W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@4.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF @ 30 V
  • 色彩/颜色 -

SQ3427AEEV-T1_GE3 产品详情

SQ3427AEEV-T1_GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SQ3427AEEV-T1_GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SQ3427AEEV-T1_GE3价格参考¥2.831974,你可以下载 SQ3427AEEV-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SQ3427AEEV-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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