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FQD10N20LTM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、51W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.83633 8.83633
10+ 7.92373 79.23733
100+ 6.17746 617.74690
500+ 5.10291 2551.45650
1000+ 4.27273 4272.73200
2500+ 4.27273 10681.83000
  • 库存: 346
  • 单价: ¥8.18448
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.84
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 D-Pak
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.6A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 360毫欧姆 @ 3.8A, 10V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、51W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 830 pF @ 25 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 5 V

FQD10N20LTM 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

特色

  • 7.6A,200V,RDS(开启)=360mΩ@VGS=10 V,ID=3.8A
  • 低栅极电荷(典型13nC)
  • 低铬(典型值14pF)
  • 100%雪崩测试
  • 允许逻辑驱动器直接操作的低电平栅极驱动要求

应用

  • LED电视
  • CRT/RPTV
FQD10N20LTM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD10N20LTM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD10N20LTM价格参考¥8.184477,你可以下载 FQD10N20LTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD10N20LTM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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