该器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 极低门电荷
- 卓越的输出容量（COSS）曲线
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
STD12N50DM2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 14.55822 | 14.55822 |
| 10+ | 13.08067 | 130.80677 |
| 100+ | 10.51451 | 1051.45180 |
| 500+ | 8.63875 | 4319.37600 |
| 1000+ | 7.85347 | 7853.47600 |
| 2500+ | 7.85347 | 19633.69000 |
- 库存: 1498
- 单价: ¥13.25451
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.56
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 110W（Tc）
- 供应商设备包装 DPAK
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 5.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 628 pF @ 100 V
- 色彩/颜色 银
STD12N50DM2 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
STD12N50DM2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD12N50DM2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD12N50DM2价格参考￥13.254507，你可以下载 STD12N50DM2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD12N50DM2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
