9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN26D0UT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN26D0UT-7参考价格为0.36000美元。Diodes Incorporated DMN26D0UT-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523。您可以下载DMN26D0UT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN26D0UFB4-7是MOSFET N-CH 20V 230MA DFN，包括DMN26系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有MOSFET N信道，FET型金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为14.1pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为230mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为3 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，Pd功耗为350 mW，Id连续漏极电流为230 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-漏极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为0.242S，信道模式为增强。
DMN26D0UDJ-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963，包括1.05V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-963以及DMN26系列，该装置也可以用作7.9ns上升时间。此外，Rds On Max Id Vgs为3 Ohm@100mA，4.5V，该器件的最大功率为300mW，该器件具有300mW的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-963，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为14.1pF@15V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为15.2 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为240mA。
DMN26D0UFB4-7B，电路图由DIODES制造。DMN26D0UFB4-7B采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
