9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN6140L-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6140L-13参考价格为0.43000美元。Diodes Incorporated DMN6140L-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23。您可以下载DMN6140L-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6075S-7带有引脚细节，包括DMN60系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为606pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为85 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，Pd功耗为1.15 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为4.1ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为12.3nC，信道模式为增强。
DMN6070SSD-13带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如60 V，单位重量设计为在0.002610盎司的范围内工作，以及3.5 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作35ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为8-SO，系列为DMN60，上升时间为4.1 ns，Rds On Max Id Vgs为80 mOhm@12A，10V，Rds On Drain Source电阻为70 mOhm，Qg栅极电荷为12.3 nC，最大功率为1.2W，Pd功耗为1.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为588pF@30V，Id连续漏极电流为3.3 A，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMN6075S-13带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为单配置运行，数据表注释中显示了11 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如2.5 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-23-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为1.15 W，Qg栅极电荷为12.3 nC，Rds漏极源极电阻为120 mOhm，上升时间为4.1 ns，系列为DMN60，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为3.5ns，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V1 V。
