增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 6.3 A，30 VRDS（开启）=0.045Ω@VGS=4.5 VRDS（打开）=0.058Ω@VGS=2.5 V
- 快速切换速度
- 广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电机驱动器
FDT439N
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.73589 | 6.73589 |
| 10+ | 5.93917 | 59.39178 |
| 100+ | 4.55361 | 455.36110 |
| 500+ | 3.59957 | 1799.78800 |
| 1000+ | 2.87963 | 2879.63200 |
| 2000+ | 2.86333 | 5726.67200 |
| 4000+ | 2.86333 | 11453.34400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.08404
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.74
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 供应商设备包装 SOT-223-4
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 3W (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.3A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 6.3A, 4.5V
- 色彩/颜色 银
FDT439N 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
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| FDT1625BR | 16" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP | ¥0.00 | |
| FDT1215CBB | 12" CONDUCTIVE DUCT 15'L W/STRAP | ¥0.00 |
FDT439N所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDT439N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDT439N价格参考￥6.084036，你可以下载 FDT439N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDT439N规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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