9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2400UFB-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2400UFB-7参考价格为0.36000美元。Diodes Incorporated DMN2400UFB-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN。您可以下载DMN2400UFB-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2400UFB4-7是MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4，包括DMN2400系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为470mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为36pF@16V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为750mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为550mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.5nC@4.5V，Pd功耗为470mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.6 ns，上升时间为3.82 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为750mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.8ns，典型导通延迟时间为4.11ns，Qg栅极电荷为0.5nC，正向跨导Min为1S，信道模式为增强。
DMN2300UFL4-7是MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.95 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为38 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用X2-DFN1310-6供应商器件包，该器件具有串联DMN23，上升时间为2.8 ns，Rds On Max Id Vgs为195 mOhm@300mA，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为520 mOhm，Qg栅极电荷为1.6 nC，最大功率为530mW，Pd功耗为530 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-XFDFN暴露垫，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为64.3pF@25V，Id连续漏极电流为2.11 A，栅极电荷Qg Vgs为1.6nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为13 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.11A，配置为双通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN2320UFB4-7B，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN2320，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
