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DMN3730UFB4-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 470mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN1006-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.38242 0.38242
50+ 0.34765 17.38295
500+ 0.32158 160.79250
  • 库存: 10
  • 单价: ¥0.38243
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.38
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 950 mV@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.6 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 460毫欧姆 @ 200毫安, 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 750毫安 (Ta)
  • 供应商设备包装 X2-DFN1006-3
  • 最大功耗 470mW (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 64.3 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

DMN3730UFB4-7 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其适合于高效电源管理应用。

DMN3730UFB4-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3730UFB4-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3730UFB4-7价格参考¥0.382425,你可以下载 DMN3730UFB4-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3730UFB4-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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