9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI6415DQ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI6415DQ-T1-GE3价格参考1.95000美元。Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP。您可以下载SI6415DQ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI6415DQ-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI6415DQ E3，提供单位重量功能，如0.005573盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可作为8-TSSOP（0.173英寸，4.40mm宽）封装盒使用。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，信道数为1信道，供应商设备包为8-TSSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，功率最大值为1.5W，晶体管类型为1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，最大Id Vgs上的Rds为19mOhm@6.5A，10V，Vgs的最大Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为70nC@10V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为17纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为19 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为73 ns，典型接通延迟时间为16 ns，沟道模式为增强型。
SI6415DQ和KEXIN制造的用户指南。SI6415DQ在TSSOP08封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI6415DQ-T1是由SIL制造的Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8引脚TSSOP T/R。SI6415DQ-T1在MSOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8引脚TSSOP T/R。
