9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN1019UFDE-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN1019UFDE-7参考价格为0.52000美元。Diodes Incorporated DMN1019UFDE-7封装/规格：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E。您可以下载DMN1019UFDE-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN100-7-F是MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3，包括DMN100系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的SC-59-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为150pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为240mOhm@1A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为5.5nC@10V，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN1016UCB6-7，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMN1016等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。
DMN100-7是由DIODES制造的MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3。DMN100-7有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3。
