起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 0.20086 | 20.08600 |
| 1000+ | 0.18948 | 189.48200 |
| 3000+ | 0.16864 | 505.93200 |
| 10000+ | 0.12988 | 1298.80000 |
| 50000+ | 0.12253 | 6126.75000 |
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDV18-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDV14-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 14-16 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDV18-187Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDV14-187Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 14-16 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米） 端接: 压接 | ¥4.78031 |
 | FDV10-250Q | 3M (3M) | 端子类别: 标准 连接头材料: 黄铜 公母: 母接头 线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米） 端接: 压接 | ¥5.43218 |
 | FDV0620-H-R47M=P3 | 村田制作所 (Murata) | 公差: ±20% 额定电流（单位：安培）: 9 A 直流电阻（DCR）: 8.3毫欧姆 Max 安装类别: 表面安装 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥4.06899 |
| FDV0620-H-R68M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥4.06899 |
 | FDV302P | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.70405 |
| FDV303N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.29056 |
| FDV305N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.55958 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
