9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN13H750S-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN13H750S-7参考价格为0.61000美元。Diodes Incorporated DMN13H750S-7封装/规格：MOSFET N-CH 130V 1A SOT23。您可以下载DMN13H750S-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN1260UFA-7B带有引脚细节，包括DMN1260系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如X2-DFN0806-3，技术设计用于Si，以及1信道数，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件功耗为0.36 W Pd，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为59.2 ns，上升时间为18.8 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为366mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为106.5ns，典型接通延迟时间为7.4ns，Qg栅极电荷为0.96nC，沟道模式为增强型。
带用户指南的DMN1250UFEL-7，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于U-QFN1515-12供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于450 mOhm@200mA，4.5V，提供功率最大功能，如660mW，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及12-UFQFN外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供190pF@6V输入电容Cis-Vds，器件具有1.9nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为8 N沟道、公共栅极、公共源极，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为2A。
带有电路图的DMN13H750S-13，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷筒包装一起工作，系列如数据表注释所示，用于DMN13，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
