9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHB5N80AE-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB5N80AE-GE3参考价格为1.69000美元。Vishay Siliconix SIHB5N80AE-GE3封装/规格：E系列功率MOSFET D2PAK（TO-）。您可以下载SIHB5N60AE-GE2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIHA21N65EF-E3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于管式封装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为71nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
SIHA12N60E-E3是MOSFET 650V.38ohm@10VMOSFET，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，以及35 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以E系列商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为E，上升时间为19 ns，漏极-源极电阻Rds为380 mOhm，Qg栅极电荷为58 nC，Pd功耗为33 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为19 ns，配置为单一。
SIHA15N60E-E3是MOSFET 650V.28ohm@10VMOSFET，包括单配置，其设计为在33 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于15 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，以及通孔安装方式，该器件也可用作1通道数量的通道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有34W的Pd功耗，Qg栅极电荷为76nC，Rds漏极-源极电阻为280mOhm，上升时间为51ns，系列为E，技术为Si，商品名为E系列，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为4V。
SIHA22N60EL-E3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
