9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7280，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7280参考价格为1.8万美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7280封装/规格：MOSFET N-CH 80V 20A/50A 8DFN。您可以下载AON7280英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON7246是MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为与8-PowerSMD、扁平引线封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计为在8-DFN（3x3）中工作，金属氧化物FET型，该器件也可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供1610pF@30V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为10A（Ta），34.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为15 mOhm@10A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为25nC@10V。
AON7242是MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN-EP（3.3x3.3）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于3.9 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如6.2W，封装设计用于Digi-ReelR备用封装，以及8-PowerWDFN封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2365pF@20V输入电容Cis Vds，该器件具有32nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为30A（Ta），50A（Tc）。
AON7244是MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN，包括20A（Ta）、50A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了2435pF@30V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8功率WDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为6.2W，最大Id Vgs的Rds为8.5 mOhm@20A，10V，供应商设备包为8-DFN-EP（3.3x3.3），Vgs th Max Id为2.5V@250μA。
