这些耗尽型（常开）晶体管利用了先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特点，这些器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的广泛开关和放大应用。
特色
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 低导通电阻
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
DN3545N8-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 100+ | 6.47990 | 647.99040 |
| 1000+ | 6.23066 | 6230.66100 |
| 3000+ | 5.99103 | 17973.09000 |
| 10000+ | 5.76059 | 57605.90000 |
| 50000+ | 5.22357 | 261178.60000 |
- 库存: 15900
- 单价: ¥6.47990
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.48
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 场效应管特性 耗尽型
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
- 包装/外壳 至243AA
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 450伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0伏
- 供应商设备包装 TO-243AA (SOT-89)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 360 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 150毫安时20欧姆，0伏
- 色彩/颜色 -
DN3545N8-G 产品详情
DN3545N8-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DN30-36P(51) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE PLUG STR IDC | ¥114.83618 |
 | DN30-50P(50) | 广赖 (Hirose) | 连接端子种类: 插头，公销 连接端子样式: d型 针位数: 50 排数: two 端接: IDC，带状电缆 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥140.72955 |
| DN30-50P(51) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE PLUG STR IDC | ¥141.51902 |
 | DN3687GFPV | 瑞萨电子 (Renesas) | DN3687 - MCU H8/300H 16BIT ROM 5 | ¥93.36098 |
 | DN3687GFPV | 瑞萨电子 (Renesas) | 程序内存类型: FLASH 内核尺寸规格: 16位 程序内存大小: 56KB (56K x 8) 供应商设备包装: 64-LFQFP (10x10) 工作温度: -20摄氏度~75摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥66.89542 |
 | DN3694GFPV | 瑞萨电子 (Renesas) | 程序内存类型: FLASH 内核尺寸规格: 16位 程序内存大小: 32KB（32K x 8） 供应商设备包装: 64-LFQFP (10x10) 工作温度: -20摄氏度~75摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥87.74049 |
| DN30-20P(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE PLUG STR IDC | ¥64.26625 |
| DN30-26P(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE PLUG STR IDC | ¥75.22476 |
| DN30-36P(50) | 广赖 (Hirose) | CONN D-TYPE PLUG STR IDC | ¥103.23791 |
| DN30-36PP-10001(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥92.04277 |
DN3545N8-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DN3545N8-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DN3545N8-G价格参考￥6.479904，你可以下载 DN3545N8-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DN3545N8-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
