描述
该N沟道增强型功率MOSFET是
使用Fairchild Semiconductor的专有技术生产
平面条纹和DMOS技术。此高级
MOSFET技术经过特别定制
导通状态电阻，并提供优异的开关
性能和高雪崩能量强度。这些
设备适用于开关模式电源，
音频放大器、直流电机控制和可变开关
电力应用。
特征
•52.4 A，60 V，Rds（开启）=21 mΩ（最大值）@Vgs=10V Id=26.2 A
•低栅极电荷（典型24.5 nC）
•低铬（典型值90 pF）
•100%雪崩测试
•175°C最高结温额定值
描述
该N沟道增强型功率MOSFET是
使用Fairchild Semiconductor的专有技术生产
平面条纹和DMOS技术。此高级
MOSFET技术经过特别定制
导通状态电阻，并提供优异的开关
性能和高雪崩能量强度。这些
设备适用于开关模式电源，
音频放大器、直流电机控制和可变开关
电力应用。
特征
•52.4 A，60 V，Rds（开启）=21 mΩ（最大值）@Vgs=10V Id=26.2 A
•低栅极电荷（典型24.5 nC）
•低铬（典型值90 pF）
•100%雪崩测试
•175°C最高结温额定值
特色
- 52.4A，60V，RDS（开启）=21mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=26.2A
- 低栅极电荷（典型值24.5nC）
- 低铬（典型值90pF）
- 100%雪崩测试
- 175°C最大结温额定值
应用
- 其他音频和视频
