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STD17NF25

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.96479 12.96479
10+ 11.61036 116.10369
100+ 9.05434 905.43490
500+ 7.47945 3739.72650
1000+ 6.26279 6262.79100
2500+ 6.26279 15656.97750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.80593
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.96
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大功耗 90W (Tc)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@8.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.5 nC@10 V
  • 色彩/颜色 -

STD17NF25 产品详情

N沟道STripFET™ 二、 STMicroelectronics公司

STripFET™ 具有宽击穿电压范围的MOSFET提供超低栅极电荷和低导通电阻。

特色

  • 异常v/dt能力
  • 100%雪崩测试
  • 低门电荷
STD17NF25所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STD17NF25 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STD17NF25价格参考¥11.805927,你可以下载 STD17NF25中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STD17NF25规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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