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PMZ350UPEYL，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，封装盒如数据表注释所示，用于SC-101、SOT-883，该产品提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为DFN1006-3，该设备采用1 P沟道ESD配置，该设备具有MOSFET P沟道、FET型金属氧化物，最大功率为360mW，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为127pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为450mOhm@300mA，4.5V，Vgs的最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.9nC@4.5V，Pd功耗为360mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-450mV，Rds导通漏极-漏极电阻为940mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为1.3nC，并且前向跨导Min为1.4S，并且信道模式为增强。
带有用户指南的PMZ370UNEYL，包括770 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-8 V Vgs栅极源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为54 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9 ns，器件的漏极-源极电阻为370 mOhms，Qg栅极电荷为0.77 nC，Pd功耗为360 mW，封装为卷轴式，封装外壳为DFN1006-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为900 mA，正向跨导最小值为1580 mS，下降时间为27 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
PMZ350XN，带有NXP制造的电路图。PMZ350XN在SOT-883封装中提供，是FET的一部分-单个。
