9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHB33N60E-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB33N60E-GE3参考价格为6.47000美元。Vishay Siliconix SIHB33N60E-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK。您可以下载SIHB33N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHB33N60EF-GE3带有引脚细节,包括卷筒包装,设计用于0.068654盎司的单位重量,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供EF系列等商标功能,包装盒设计用于to-263-3以及Si技术,该设备也可作为1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有278 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为48 ns,上升时间为43 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为33 a,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Vgs栅极-源极阈值电压为2V,Rds导通漏极-漏极电阻为98mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为161ns,典型接通延迟时间为28ns,Qg栅极电荷为155nC。
带有用户指南的SiHB24N65ET5-GE3,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术,该Si提供了E等系列功能,通道数设计为在1个通道中工作。
SIHB25N50E-GE3带有电路图,包括卷筒包装,它们设计为使用Si技术操作。