9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2065UWQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2065UWQ-7参考价格为0.47000美元。Diodes Incorporated DMN2065UWQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323。您可以下载DMN2065UWQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN2065UWQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2050LFDB-13，带引脚细节，包括DMN2050系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-UDFN暴露垫，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为U-DFN2020-6，该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为730mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为389pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.3A，最大Id Vgs的Rds为45mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，晶体管极性为N沟道。
DMN2050LFDB-7是MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2020-6以及DMN2050系列，该器件还可以用作45 mOhm@5A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为730mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有6-UDFN封装盒暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为389pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A。
DMN2050L-7-F，电路图由DIODES制造。DMN2050L-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMN2050L-7-F/MN3，带EDA/CAD型号DMN2050L-7-F/MN 3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
