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FQD17P06TM

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、44W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.75376 5.75376
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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900 pF @ 25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、44W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 135毫欧姆@6A,10V

FQD17P06TM 产品详情

增强型P沟道MOSFET,ON半导体

ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,从而为快速切换提供坚固可靠的性能。

特点和优点:

•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术

应用:

•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

特色

  • -12A,-60V,RDS(开启)=135mΩ(最大值)@VGS=-10 V,ID=-6A
  • 低栅极电荷(典型值21nC)
  • 低铬(典型值80pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • 液晶电视
  • LED电视
  • PDP电视
FQD17P06TM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD17P06TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD17P06TM价格参考¥5.753760,你可以下载 FQD17P06TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD17P06TM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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