ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,从而为快速切换提供坚固可靠的性能。
特点和优点:•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术
•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制
特色
- -12A,-60V,RDS(开启)=135mΩ(最大值)@VGS=-10 V,ID=-6A
- 低栅极电荷(典型值21nC)
- 低铬(典型值80pF)
- 100%雪崩测试
应用
- 液晶电视
- LED电视
- PDP电视