特色
- 超薄SOT883（XDFN3）1.0 x 0.6 x 0.4 mm封装
- 空间约束环境的理想选择
- 超小型1.0 x 0.6 mm封装中的低RDS（开启）解决方案
- 最小化传导损耗并提高效率
- 1.5 V栅极驱动
- 在低逻辑电平电压下工作
- 符合RoHS
应用
- 高压侧开关
- 高速接口
- 针对超便携解决方案中的电源管理进行了优化
- 智能手机、媒体平板电脑、DSC、便携式游戏机等
NTNS3164NZT5G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 361毫安 (Ta) 最大功耗: 155毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-883（XDFN3）（1x0.6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.96958 | 2.96958 |
| 10+ | 2.42637 | 24.26372 |
| 100+ | 1.65210 | 165.21050 |
| 500+ | 1.23911 | 619.55750 |
| 1000+ | 0.92926 | 929.26400 |
| 2000+ | 0.85183 | 1703.67400 |
| 8000+ | 0.82134 | 6570.76000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.69388
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.97
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 包装/外壳 3-XFDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 24 pF@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 361毫安 (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 200毫安, 4.5V
- 最大功耗 155毫瓦（Ta）
- 供应商设备包装 SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
- 色彩/颜色 -
NTNS3164NZT5G 产品详情
带ESD保护的小信号MOSFET 20V 245mA 1.5欧姆单N沟道SOT883
NTNS3164NZT5G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTN-R-30 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥184.50564 |
| NTN-R-100 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥489.54761 |
| NTN-R-60 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥361.26137 |
| NTN-R-200 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥1,207.02929 |
| NTN-R-600 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥3,059.03882 |
| NTN-R-400 | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | BUSS NEUTRAL | ¥2,027.57743 |
| NTND31225CZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta）、127毫安（Ta 供应商设备包装: 6-XLLGA (0.9x0.65) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.7523 |
 | NTND31015NZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: 6-XLLGA (0.9x0.65) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.11445 |
 | NTNS3C94NZT5G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 384毫安 (Ta) 最大功耗: 120mW（Ta） 供应商设备包装: 3-XLLGA（0.62-0.62） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.46892 |
| NTN9392B | SWIVEL BELT CLIP FOR TALKABOUT R | ¥0.00 |
NTNS3164NZT5G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTNS3164NZT5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTNS3164NZT5G价格参考￥3.693879，你可以下载 NTNS3164NZT5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTNS3164NZT5G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
