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DMN3065LW-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.54902 3.54902
10+ 2.67987 26.79873
100+ 1.67093 167.09370
500+ 1.14350 571.75450
1000+ 0.87957 879.57800
3000+ 0.79164 2374.94700
6000+ 0.74761 4485.67200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.55
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 供应商设备包装 SOT-323
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 465 pF @ 15 V
  • 最大功耗 770mW (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 52毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.7 nC@10 V
  • 色彩/颜色 黑色

DMN3065LW-7 产品详情

N沟道MOSFET,30V,二极管公司
DMN3065LW-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3065LW-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3065LW-7价格参考¥3.549021,你可以下载 DMN3065LW-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3065LW-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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