特色
- 下部RDS（打开）
- 降低VDS（打开）
- 较低的电容
- 降低总门电荷
- 降低和收紧VSD
- 下二极管反向恢复时间
- 较低的反向恢复存储电荷
- 符合RoHS
应用
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路
（图片：引出线）
NTD20N06LT4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.36W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.63305 | 9.63305 |
| 10+ | 8.62629 | 86.26294 |
| 100+ | 6.72358 | 672.35840 |
| 500+ | 5.55400 | 2777.00050 |
| 1000+ | 4.65052 | 4650.52100 |
| 2500+ | 4.65052 | 11626.30250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.03962
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.63
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 DPAK
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 48毫欧姆 @ 10A, 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 990 pF@25 V
- 最大功耗 1.36W（Ta），60W（Tj）
NTD20N06LT4G 产品详情
设计用于电源、转换器、电机控制和桥接电路中的低压、高速开关应用。
NTD20N06LT4G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTD4302-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | ¥1.59344 |
| NTD2955-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥1.01401 |
 | NTD60N02R-001 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 24V 62A IPAK | ¥0.86915 |
 | NTD20N06L | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN LL 20A 60V DPAK | ¥3.11445 |
| NTD4404N1G | 安盛美 (onsemi) | POWER MOSFET, 85 A, 24 V, N-CHAN | ¥2.96959 |
 | NTD2955-1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 55W (Tj) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.37375 |
 | NTD50N03RT4 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 1.5W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4808N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、63A（Tc） 最大功耗: 1.4W（Ta），54.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.72429 |
 | NTD4970N-35G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 36A (Tc) 最大功耗: 1.38W（Ta），24.6W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | NTDV20N06T4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 1.88W（Ta），60W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.25931 |
NTD20N06LT4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTD20N06LT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTD20N06LT4G价格参考￥8.039619，你可以下载 NTD20N06LT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTD20N06LT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
