特色
- 低压（1.5V）驱动类型
- Nch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RUL035N02TR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.36022 | 43.60226 |
| 100+ | 3.25713 | 325.71320 |
| 500+ | 2.55906 | 1279.53050 |
- 库存: 713
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 最大功耗 320mW (Ta)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A（Ta）
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Leads
- 供应商设备包装 TUMT6
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 460 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3.5A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V
RUL035N02TR 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RUL035N02TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RULBK1-52 | 哈蒙德 (Hammond) | 附件种类: 标签 配套使用/相关货物: 轨道 包装: 散装 | ¥225.54391 |
 | RULBK | 哈蒙德 (Hammond) | 附件种类: 标签 配套使用/相关货物: 轨道 包装: 散装 | ¥268.57253 |
 | RUL035N02FRATR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
| RUL035N02TR | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | RUL-0002 | 朝霞工业 (Alpenglow) | SOD & PASSIVES PCB RULER, 6" | ¥57.58106 |
 | RUL-0001 | 朝霞工业 (Alpenglow) | SOT FOOTPRINT PCB RULER, 8" | ¥72.06686 |
 | RULBK52-1 | 52U(T)-1U(BTM) RU LABEL 2-PACK | ¥0.00 |
RUL035N02TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RUL035N02TR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RUL035N02TR价格参考￥5.070030，你可以下载 RUL035N02TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RUL035N02TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
