特征� 单P沟道MOSFET� 超薄封装（0.62 x 0.62 x 0.4 mm）� 0.62 x 0.62 mm封装中的低RDS（开启）解决方案� 1.5 V栅极电压额定值� 这些设备不含铅、不含卤素、不含BFR，符合RoHS要求� 小信号负载开关� 模拟开关� 高速接口� 针对超便携产品的电源管理进行了优化
特征单P沟道MOSFET超小型和薄封装x 0.4 mm）低RDS（on）解决方案0.62 mm封装1.5 V栅极电压额定值这些器件不含铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准的小信号负载开关模拟开关高速接口，优化了超便携式产品的电源管理
应用参数漏极到源极电压栅极到源极的电压连续漏极电流（注1）稳态t5s功耗（注释1）稳态T5 s脉冲漏极电流工作结和存储温度焊接用源极电流（体二极管）引线温度（10ms IDM TJ，TSTG TL PD符号VDSS VGS ID值1 XLLGA3 case 713AB单位G（1）
设备NTNS3A91PZT5G包装XLLGA3（无铅）装运8000/磁带和卷轴超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅为应力额定值。不暗示在推荐操作条件以上的功能操作。长时间暴露在高于推荐操作条件的应力下可能会影响设备的可靠性。
参数连接至环境� 稳态（注1）连接至环境（注2）符号RJA Max 1035 895单位�C/W公司
有关磁带和卷轴规格的信息，包括零件方向和磁带尺寸，请参阅我们的磁带和卷轴包装规格手册BRD8011/D。
1.表面安装在FR4板上，使用建议的最小焊盘尺寸（或1盎司铜）。脉冲测试：脉冲宽度300 ms，占空比2%。
参数关特性漏极到源极击穿电压漏极到漏极击穿电压温度系数零栅极电压漏极电流栅极到源极泄漏电流开启特性（注3）栅极阈值电压负阈值温度系数漏极到电源开启电阻VGS（TH）VGS（TH/TJ RDS（ON）VGS-100 mA VGS-50 mA VGS-20 mA VGS-10 mA正向跨导源极漏极二极管电压电荷和电容输入电容输出电容反向转移电容总栅极电荷阈值栅极电荷栅极到源极电荷栅极到漏极电荷CISS COSS CRSS QG（TOT）QG（TH）QGS QGD td（ON）tr td（OFF）tf VGS-4.5 V，VDD=-200 mA，2 W VGS-4.5V，VDS mA 41 VGS=10 kHz，VDS nC pF gFS VSD VDS-100 mA VGS-10 mA VGS=VDS，-1.0 V毫伏/�C W电压（BR）DSS V（BR）DSS/TJ IDSS IGSS VGS=-250 mA，参考25�C VGS 0伏，VDS 25�C V毫伏/�C mA符号测试条件最小类型最大单位
开关特性，VGS 4.5 V（注3）开启延迟时间上升时间关闭延迟时间下降时间
3.开关特性与工作结温度无关。图4。导通电阻与漏极电流和栅极电压
特色
- 超薄封装（0.62 x 0.62 x 0.4 mm）
- 节省板空间的理想选择
- 0.62 x 0.62 mm封装中的低RDS（开启）解决方案
- 最小化传导损耗并提高效率
- 1.5 V栅极电压额定值
- 可以用低逻辑电平电压驱动
- 符合RoHS
应用
- 小信号负载开关
- 模拟开关
- 高速接口
- 针对超便携产品的电源管理进行了优化
- 智能手机、媒体平板电脑和其他便携式设备
（图片：引出线）
