9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2005LP4K-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2005LP4K-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN。您可以下载DMN2005LP4K-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2005K-7是MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3，包括DMN2005系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为300mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.7 Ohm@200mA，2.7V，Vgs最大Id为900mV@100μA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏极电流为300 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极上源极电阻为1.7欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN2005K，带有DIODES制造的用户指南。DMN2005K在SOT-23封装中提供，是FET的一部分-单个。
DMN2005K-7-F，电路图由GP/DIODES制造。DMN2005K-7-F采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
