9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的IRF730，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IRF730价格参考1.99000美元。NTE Electronics，Inc IRF730封装/规格：MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220。您可以下载IRF730英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7241PBF是MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，该器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为280 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds漏极源极电阻为70m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为210ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为53nC，沟道模式为增强。
IRF7241TRPBF是MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作70毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为53 nC，该器件提供2.5 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-6.2 a。
IRF7241TR是由IR制造的MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC。IRF7241TR可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH40V 6.2B 8-SOIC、P沟道40V 6.2C（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
