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BSR802NL6327HTSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SC59-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.21488 5.21488
10+ 4.43989 44.39898
100+ 3.31435 331.43510
500+ 2.60425 1302.12850
1000+ 2.01244 2012.44000
3000+ 1.97296 5918.89800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.49060
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.21
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 最大功耗 500mW (Ta)
  • 供应商设备包装 PG-SC59-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.7A (Ta)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、2.5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@3.7A,2.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 750mV @ 30A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7 nC @ 2.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1447 pF@10 V
  • 色彩/颜色 -

BSR802NL6327HTSA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™2功率MOSFET系列

英飞凌的光学MOS™2.N-Channel系列在其电压组中提供了业界最低的导通电阻。功率MOSFET系列可用于许多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低压驱动器和服务器电源。这个OptiMOS 2产品系列的电压范围为20V及以上,并提供多种不同的封装类型。

特色

  • 增强模式
  • 无铅铅镀层;符合RoHS
  • 符合AEC Q101要求

应用

  • 汽车
  • 消费者
  • 直流-直流
  • 电子移动性
  • 电机控制
  • 车载充电器
  • 电信
BSR802NL6327HTSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSR802NL6327HTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSR802NL6327HTSA1价格参考¥4.490598,你可以下载 BSR802NL6327HTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSR802NL6327HTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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