9icnet为您提供由EPC设计和生产的EPC2029，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EPC2029参考价格为6.70000美元。EPC EPC2029包/规范：GANFET N-CH 80V 48A模具。您可以下载EPC2029英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EPC2012C，带引脚细节，包括eGaNR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装盒如数据表注释所示，用于模具，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及模具外形（4焊条）供应商设备包，该器件也可以用作GaNFET N沟道、氮化镓FET型。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件提供140pF@100V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为100mOhm@3A、5V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为1.3nC@5V。
带用户指南的EPC2014C，包括2.5V@2mA Vgs th Max Id，它们设计用于与模具轮廓（5焊条）供应商设备包一起操作，系列如数据表注释所示，用于eGaNR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如16 mOhm@10A，5V，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及模具包装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供300pF@20V输入电容Cis Vds，器件具有2.5nC@5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为GaNFET N沟道、氮化镓，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为10A（Ta）。
带有电路图的EPC2024ENGR，包括60A（Ta）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在40V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如GaNFET N沟道、氮化镓、栅极电荷Qg Vgs设计为在19nC@5V下工作，除了2100pF@20V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该器件采用裸片封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大Id Vgs的Rds为1.5 mOhm@37A，5V，系列为eGaNR，供应商器件封装为裸片，Vgs th Max Id为2.5V@19mA。
EPC-2020具有EDA/CAD型号，包括Intel Atom D525处理器类型，它们设计用于Intel Atom D400/D500处理器系列，处理器品牌如数据表说明所示，用于Intel，提供ICH8M等芯片组功能，该系列设计用于EPC，以及批量封装。
