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FDZ661PZ
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FDZ661PZ

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 4-WLCSP（0.8x0.8） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.22889 6.22889
10+ 5.46839 54.68390
100+ 4.19074 419.07420
500+ 3.31275 1656.37900
1000+ 2.65017 2650.17700
2000+ 2.63518 5270.36800
5000+ 2.63511 13175.56000
  • 库存: 4424
  • 单价: ¥6.22889
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.23
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大功耗 1.3W（Ta）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 部件状态 上次购买
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A（Ta）
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 4-XFBGA，WLCSP
  • 导通电阻 Rds(ON) 140毫欧姆@2A，4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 555 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 4-WLCSP（0.8x0.8）
  • 色彩/颜色 银

FDZ661PZ 产品详情

FDZ661PZ采用先进的1.5 V PowerTrench®工艺，采用最先进的“细间距”薄WLCSP封装工艺，最大限度地减少了PCB空间和rDS（开）。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形（0.4 mm）和小封装（0.8x0.8 mm2）、低栅极电荷和低rDS（on）。

特色

  • 最大rDS（开启）=140 mΩ VGS=-4.5 V，ID=-2 A时
  • 最大rDS（开启）=182 mΩ VGS=-2.5 V，ID=-1.5 A时
  • 最大rDS（开启）=231 mΩ VGS=-1.8 V，ID=-1 A时
  • 最大rDS（开启）=315 mΩ VGS=-1.5 V，ID=-1 A时
  • 仅占用0.64 mm2的PCB面积。小于2 x 2 BGA面积的16%
  • 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.4 mm
  • HBM ESD保护等级>2 kV（注3）
  • 符合RoHS

应用

  • 移动手持设备
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护

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器件图
型号
制造商
描述
价格
FDZT40RB5.1FDZT40RB5.1罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB7.5FDZT40RB7.5罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB5.6FDZT40RB5.6罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.42733
FDZT40RB6.2FDZT40RB6.2罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.47755
FDZT40RB6.8FDZT40RB6.8罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.85418
FDZT40RB8.2FDZT40RB8.2罗姆 (Rohm)DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402¥2.46259
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FDZ2554PZFDZ2554PZ场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.27331
FDZ4002LFDZ4002L安盛美 (onsemi)IC POWER MANAGEMENT¥45.72731
FDZ5013C-1FDZ5013C-1DOUBLER,FREQUENCY¥0.00
FDZ661PZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDZ661PZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDZ661PZ价格参考￥6.228894，你可以下载 FDZ661PZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDZ661PZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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